Das kostengünstige SuperGaN-IC unterstützt
65-Watt- und 100-Watt-Adapter, wie Weltrend mit seinem neuen
Referenzdesign nachgewiesen hat, und bietet Kunden M�glichkeiten
für Platzeinsparungen und eine beispiellose GaN-Robustheit
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führender Anbieter
von robusten GaN-Leistungshalbleitern, und Weltrend Semiconductor
Inc. (TWSE: 2436), der weltweit führende Anbieter von USB Power
Delivery (PD) Controller Integrated Circuits (ICs), gaben heute die
Verfügbarkeit eines Referenzdesigns für einen
100-Watt-USB-C-PD-Power-Adapter bekannt. Auf dem Board kommt das
SuperGaN® System-in-Package (SiP) des Unternehmens - das
WT7162RHUG24A - zum Einsatz, das in einer quasi-resonanten
Flyback-Topologie (QRF-Topologie) aufgebaut ist und einen
Wirkungsgrad von 92,7 Prozent erreicht.
Dies ist das zweite USB-C-PD-Adapter-Board von Weltrend, auf dem
das WT7162RHUG24A in einer QRF-Topologie verwendet wird. Das erste
war ein 65-Watt-Board, das bereits Anfang des Jahres auf den Markt
kam. Die Tatsache, dass bei beiden Boards dasselbe SuperGaN-SiP
verwendet wird, ist für Kunden von Vorteil, die auf der Suche nach
M�glichkeiten zu Platzeinsparungen und einer im Vergleich zum
Wettbewerb kostengünstigeren Implementierung von 100-Watt-Designs
sind. Dies zeigt, dass das SuperGaN-SiP der 65-Watt-Klasse auch die
Leistungs- und thermischen Anforderungen von 100-Watt-Designs
erfüllt.
“Die Idee einer auf GaN basierenden integrierten Schaltung ist
großartig, da sie den Entwicklungsprozess vereinfachen kann - wenn
man es richtig macht. Es sollte eine wirklich integrierte
Einzelbaugruppe sein, das die n�tigen Controller bereits an Bord
hat. Genau hierdurch zeichnet sich das SuperGaN-SiP von Weltrend
und Transphorm aus”, sagte Philip Zuk, Senior Vice President,
Business Development and Marketing, von Transphorm. “Das SiP ist
eine einfache Normally-Off-L�sung, die weder einen Schutz noch
einen Treiber oder einen externen Controller erfordert. In
Anbetracht der Tatsache, dass ein und dasselbe SiP in einem 65- und
100-Watt-Netzadapterboard eingesetzt werden kann, zeigt sich die
der GaN-Technologie innewohnende Vielseitigkeit und Robustheit erst
richtig. Und das bietet heute nur die SuperGaN-Plattform von
Transphorm.”
“Uns ist es wichtig, dass wir die besten und funktionellsten
L�sungen auf den Markt bringen, die derzeit m�glich sind, vor allem
im Zuge der Ausweitung unserer Präsenz auf dem Markt für
AC/DC-Stromversorgungen”, sagte Wayne Lo, Vice President of
Marketing bei Weltrend Semiconductor. “Der Markt für Netzadapter
entwickelt sich ständig weiter, wobei die sehr attraktiven Vorteile
von GaN die Grundlage für Innovationen bilden. Wir sorgen dafür,
dass sich die Kunden diese Vorteile nicht nur technisch, sondern
auch in Bezug auf die Rentabilität zunutze machen k�nnen. Ein SiP,
das die Anforderungen an das physische Design eines Adapters und
die finanziellen Ziele einer ganzen Adapter-Produktlinie mit
verschiedenen Modellen erfüllt, ist ein Gewinn für uns alle. Das
heute präsentierte 100-Watt-Referenzdesign ist ein eindrucksvoller
Beweis für das, was unsere Technologie im unteren Preissegment
leisten kann. Und wir fangen gerade erst an.”
Spezifikationen des 100-Watt-Adapter-Referenzdesigns
Das universelle 100-Watt-Netzadapter-Board von Weltrend
entspricht den USB-Standards PD 3.0 und PPS. Es soll die
Entwicklung verschiedener leistungsstarker, flacher Stromadapter
zum Laden von Smartphones, Tablets, Laptops und anderen
intelligenten Geräten beschleunigen. Weitere wichtige
Spezifikationen sind:
Spezifikation
Detail
GaN-Bauelement
WT7162RHUG24A SuperGaN-SiP
Topologie
Boundary-Mode-Leistungsfaktorkorrektur
(PFC) + quasi-resonanter Flyback-Modus/Multimode-Betrieb mit
Valley-Switching
Wirkungsgrad unter Volllast
91,2% bei 90 VAC/Volllast
Spitzenwirkungsgrad insgesamt
92,7% bei 264VAC/Volllast
Leistungsdichte
15,8 W/in3 (ohne Gehäuse)
Betriebs-Ausgangsspannung
USB-C PD 3.0, PPS 3,3 V - 21 V
Verlustleistung ohne Last
< 50 mW bei 264 VAC
Ausgangsspannung und -strom
PPS: 3,3 V – 21 V/5 A 5 V/3 A; 9 V/3 A; 12
V/3 A; 15 V/3 A; 20 V/5 A
EMV-konform
Leitungsgebundene und abgestrahlte
St�rgr�ßen
Abmessungen
69 mm x 63 mm x 23,8 mm
Das SuperGaN-SiP: Kompakt, kostengünstig, schnelle
Entwicklung
Der WT7162RHUG24A ist ein echter integrierter Schaltkreis, der
für den Einsatz in USB-C-PD-Netzteilen mit 45 bis 100 Watt Leistung
ausgelegt ist. Darin integriert sind der quasi-resonante
Multimode-Flyback-PWM-Controller WT7162RHSG08 von Weltrend und der
240-Milliohm-650-Volt SuperGaN®-FET von Transphorm. Der
oberflächenmontierbare Baustein ist in einem 24-poligen
8x8-QFN-Gehäuse erhältlich und bietet einen Spitzenwirkungsgrad von
92,7 %. Zu seinen wichtigsten Vorteilen geh�ren die h�here
Leistungsdichte mit einem besseren Wärmemanagement für eine
langfristige Zuverlässigkeit sowie die Senkung der
Stücklistenkosten. Weitere Informationen finden Sie unter:
https://bit.ly/WeltSiPBdpma.
Verfügbarkeit
Zugang zu Demoboards und/oder SiP-Muster erhalten Sie auf
Anfrage vom Weltrend-Vertriebsteam unter sales@weltrend.com.tw.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns
auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Über Weltrend Semiconductor Inc.
Weltrend Semiconductor, Inc. (TWSE: 2436) wurde 1989 im „Silicon
Valley von Taiwan“, dem Hsinchu Science Park, gegründet und ist ein
führendes Fabless-Halbleiterunternehmen, das sich auf die Planung,
Konstruktion, Prüfung und Anwendungsentwicklung sowie den Vertrieb
von Mixed-Signal- und digitalen IC-Produkten in Netzteilen,
Motorsteuerungen, Bildverarbeitung und mehr auf vielen
Anwendungsgebieten spezialisiert hat. Weitere Informationen finden
Sie auf www.weltrend.com.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von
Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer
jeweiligen Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
Sprachversion, die im Original ver�ffentlicht wurde, ist
rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen
Sprachversion der Ver�ffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com
ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20231214095415/de/
Pressekontakt: Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Investorenkontakte: David Hanover oder Jack Perkins KCSA
Strategic Communications transphorm@kcsa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Apr 2024 to May 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From May 2023 to May 2024